Samsung разработала 64-гигабитный MLC NAND-флэш модуль памяти с интерфейсом Toggle DDR 2.0

Южнокорейская компания Samsung Electronics сумела разработать первый в мире 64-гигабитный MLC NAND-флэш модуль памяти, который поддерживает интерфейс DDR 2.0. Такая память будет применяться в следующем поколении портативной техники.



Благодаря использованию 20-нм технологического процесса производителю удалось добиться очень высокой плотности записи, а также снизить энергопотребление памяти. Новые чипы способны обеспечить скорость передачи информации до 400 Мб/с, что в десять раз превосходит Single Data Rate NAND-флэш модули памяти, применяемые в современных смартфонах и планшетных компьютерах. Переход на интерфейс DDR 2.0 позволил компании Samsung добиться трехкратного увеличения пропускной способности по сравнению с чипами памяти, использующими интерфейс DDR 1.0 (133 Мб/с).

По словам производителя 64-гигабитные MLC NAND-флэш модули памяти с интерфейсом DDR 2.0 найдут свое применение в будущих смартфонах, планшетных компьютерах, а также твердотельных накопителях.