Samsung разработала улучшенную память для мобильных устройств

Южнокорейская компания Samsung Electronics непрерывно трудится в сфере улучшения комплектующих для мобильных устройств. Очередным достижением этого производителя стала разработка мобильной DRAM-памяти с расширенной шиной ввода/вывода.



Новые модули памяти выполнены по 50-нм технологическому процессу. Они характеризуются высоким быстродействием и низким энергопотреблением. Модули DRAM-памяти имеют объем 1 Гб (гигабит) и благодаря широкой шине передачи данных могут передавать данные со скоростью 12,8 ГБ (гигабайта) в секунду, что значительно выше, чем предыдущее поколение DRAM-памяти, которая имела пропускную способность 1,6 ГБ/сек. Такой высокой скорости компания Samsung достигла путем расширения шины передачи данных. Старые микросхемы модулей мобильной DRAM-памяти имели лишь 32 контакта, а новые имеют 512. Энергопотребление новых модулей памяти на 87% меньше, чем у предыдущего поколения.



Разработанная южнокорейским производителем память будет использоваться в мобильных устройствах, таких как смартфоны и планшетные компьютеры. В планы компании Samsung на 2013 год входит создание 4 Гб модулей DRAM-памяти, который будет изготовлены по 20-нм технологическому процессу.